名古屋市工業研究所

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主要設備・設備検索

設置設備・装置等の仕様

導入年度:昭和60年

装置名 ドライエッチング装置
設備の概要
(目的、用途)
本装置は、ガスプラズマを発生しシリコンウエハ表面のレジストを除去する装置です。主に、半導体素子の作製工程などでの表面処理に用いられます。
メーカー 東京応化工業
型式 OPM-EM-1000
設備仕様

最大出力:13.56MHz・1000W
100−1000W連続可変
水晶発振型

設置場所 電子技術総合センター 2F クリーンルーム(E201)
問合せ先 システム技術部 電子技術研究室
村瀬真(052-654-9930)
その他
写真
ドライエッチング装置

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